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DMTH4004SPSQ-13  与  BSC027N04LS G  区别

型号 DMTH4004SPSQ-13 BSC027N04LS G
唯样编号 A3-DMTH4004SPSQ-13 A-BSC027N04LS G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.6W(Ta), 167W(Tc) -
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.7 毫欧 @ 90A,10V 2.3mΩ
上升时间 - 5.6ns
Qg-栅极电荷 - 85nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 70S
封装/外壳 8-PowerTDFN -
连续漏极电流Id 31A(Ta),100A(Tc) 100A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 6.2ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4305pF @ 25V -
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
典型关闭延迟时间 - 39ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
典型接通延迟时间 - 9.8ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 68.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH4004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
BSC027N04LS G Infineon 功率MOSFET

BSC027N04LSGATMA1_5.9mm

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DMTH4004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 对比

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